Simone非晶硅薄膜晶体管
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非晶硅薄膜晶体管（amorphous silicon thin film transistor，缩写a-Si:H TFT）是一种以非晶硅和氢合金为沟道材料的场效应晶体管。其采用MOS结构，通过栅极在非晶硅中感应导电沟道，主要应用于大尺寸液晶显示、电子纸和柔性显示领域，常用于集成栅极驱动电路（GOA）和像素开关元器件 。非晶硅中的电子运动分为扩展态和局域态，其中局域态包括带尾局域态和缺陷局域态。
该晶体管通过辉光放电分解硅烷制备，采用倒栅错位式工艺，包含栅金属、栅绝缘层、非晶硅层及源漏金属结构，工艺温度低于350℃ 。其电子迁移率通常低于1 cm²/(V·s)，通断电流比可达10⁶量级，但在低温工艺下稳定性下降 。相较于低温多晶硅和氧化物TFT，非晶硅TFT具有成本优势，适用于Gen10.5超大尺寸LCD制造 。研究团队已成功开发基于该器件的32英寸显示屏和14英寸柔性电子纸，并通过高温高湿环境可靠性验证 。
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